魯晶SGT MOSFET在電動(dòng)工具 、鋰電保護板推薦應用

2023-07-19
SGT MOSFET優(yōu)勢介紹


MOSFET大致分類(lèi):平面型MOSFET;Trench (溝槽型)MOSFET,主要用于低壓領(lǐng)域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽柵溝槽)MOSFET,主要用于中壓和低壓領(lǐng)域;SJ-(超結)MOSFET,主要在高壓領(lǐng)域應用。


SGT MOSFET結構具有電荷耦合效應,在傳統溝槽MOSFET器件PN結垂直耗盡的基礎上引入了水平耗盡,將器件電場(chǎng)由三角形分布改變?yōu)榻凭匦畏植?,在采用同樣摻雜濃度的外延材料規格情況下,器件可以獲得更高的擊穿電壓。較深的溝槽深度,可以利用更多的硅體積來(lái)吸收EAS能量,所以SGT在雪崩時(shí)可以做得更好,更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開(kāi)關(guān)電源,電機控制,動(dòng)力電池系統等應用領(lǐng)域中,SGT MOSFET配合先進(jìn)封裝,非常有助于提高系統的效能和功率密度。

提升SGT技術(shù)優(yōu)勢


功率密度

SGT結構相對傳統的Trench結構,溝槽挖掘深度深3-5倍,可以橫向使用更多的外延體積來(lái)阻止電壓,顯著(zhù)降低了MOSFET器件的特征導通電阻(Specific Resistance),例如相同的封裝外形TO-252或TO-263封裝,采用SGT芯片技術(shù),可以得到更低的導通電阻。


如下圖鋰電保護控制板①處所示

魯晶采用SGT工藝研發(fā),在①處可放置LJM90N03T

、LJM120N03T、LJM80N06T等魯晶MOS管


如下圖鋰電保護控制板②處所示

串聯(lián)結構下,可采用2302、3400等MOS型號

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參數如下:

VGS=10V時(shí),RDS(ON)=2.6mΩ(典型值)

低柵極電荷、低Crss、快速切換、額定極限dv/dt、100%雪崩測試、無(wú)鉛電鍍、符合RoHS。

應用領(lǐng)域


鋰電保護  掃地機器人  吸塵器  無(wú)線(xiàn)充電

吸拖洗一體拖把  戶(hù)外儲能   移動(dòng)電源  LED電源

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